Главная

Категории:

ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника






Программа основного вступительного испытания


Проректор по учебной работе

 

_______________А.Л.Толстик

 

Рег. № ___________________

 

 

Программа основного вступительного испытания

По физической электронике

Для поступающих в магистратуру

По специальности 1-31 80 08 «Физическая электроника»

 

Минск

 

Авторы: Гайдук Петр Иванович, д.ф.-м.н., профессор, Бурмаков Александр Пантелеевич, к.ф.-м.н., доцент, Садов Василий Сергеевич, доцент, к.т.н., Демидчик Валерий Иосифович, доцент, к.ф.-м.н., Семенчик Владимир Григорьевич, к.ф.-м.н., доцент, Кольчевский Николай Николаевич, к.ф.-м.н., доцент, Карих Евгений Дмитриевич, к.ф.-м.н., доцент, Леонтьев Александр Викторович, к.ф.-м.н., доцент, Микулович Владимир Иванович, к.ф.-м.н., доцент, Хейдоров Игорь Эдуардович, к.ф.-м.н., доцент

 

Утверждена Советом факультета радиофизики и компьютерных технологий (протокол №7 от 29 апреля 2016 г.)

 

Ответственный за редакцию: Людчик О.Р.

 

Интегральная электроника

1. Структура и элементная база цифровых систем.

2. Классификация и основные параметры микросхем памяти. Статические и динамические ОЗУ. Микросхемы ПЗУ и РПЗУ.

3. Микросхемотехника операционных усилителей. Особенности применения операционных усилителей в электронных приборах.

4. Интегральные аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.

Литература

1. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника: Учеб. пособие для вузов. М.: Радио и связь, 1990.

2. Коломбет Е.А. Микроэлектронные средства обработки аналоговых сигналов. М.: Радио и связь, 1991.

3. Миловзоров В.П. Элементы информационных систем. М.: Высш. шк., 1989.

 

 

Физика твердого тела

5. Обратная решетка, векторы обратной решетки. Дифракция в кристаллах. Зоны Бриллюэна.

6. Типы связей в кристаллах. Силы Ван-дер-Ваальса-Лондона. Ионные, ковалентные, металлические кристаллы, кристаллы с водородными связями.

7. Дефекты в твердых телах: классификация; точечные и радиационные дефекты, дислокации.

8. Фононы и колебания решетки.

9. Ангармонические взаимодействия в кристаллах. Тепловое расширение. Теплопроводность.

Литература

1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.

2. Ашкрофт М., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979.

3. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988.

4. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 1977.

 

 

Химия твердого тела

10. Правило фаз. Фазовые диаграммы 1-го и 2-го рода.

11. Классификация фазовых переходов по Эренфесту и Бюргеру.

Литература

1. Хенней Н. Химия твердого тела. М. Мир, 1971.

2. Гилевич М.П., Покровский И.И. Химия твердого тела. Мн.: Университетское, 1985.

3. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложение: В 2 ч. М.: Мир, 1988.

 

Физика полупроводников

12. Уравнения Шредингера для кристаллов. Эффективная масса носителей заряда.

13. Функции распределения Ферми-Дирака. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации примеси и температуры.

14. Удельная проводимость вырожденного и невырожденного полупроводника. Эффект Холла.

15. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках.

Литература

1. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976.

2. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш.шк., 1984.

3. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.

 

 

Физика полупроводниковых приборов

16. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода. Барьерная емкость.

17. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шотки. Гетеропереходы.

18. Биполярный транзистор. Параметры и характеристики транзисторов. Статические характеристики транзисторов. Эквивалентные схемы транзисторов.

19. Переходные процессы в диодах. Обращенные диоды. Туннельные диоды.

20. Пробой выпрямляющего перехода. Стабилитроны. Тиристоры.

21. Полевые транзисторы. Приборы с зарядовой связью.

Литература

1. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. М.: Высш. шк., 1987.

2. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов. Радио, 1980.

 

 

Взаимодействие частиц и излучения с веществом

22. Эмиссия первичных, вторичных и Оже-электронов при облучении поверхности электронным потоком.

23. Пробеги ионов в твердом теле, каналирование ионов.

24. Физическое распыление поверхности ионным потоком. Модель процесса, зависимость коэффициента распыления от энергии и угла падения ионов.

25. Химическое травление поверхности потоками ионов и нейтральных атомных частиц.

Литература

1. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. М.: Высш. шк., 1988.

2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987.

3. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985.

 

 

Материалы электронной техники

26. Классификация, свойства и области применения проводящих материалов.

Литература

1. Пасынков В.В. и др. Материалы электронной техники. М.: Высш. шк., 1987.

2. Гайдук П.И., Комаров Ф.Ф., Людчик О.Р., Леонтьев А.В. Материалы микро- и наноэлектроники. Мн.: Изд-во БГУ, 2008

 

Теория колебаний и волн

40. Понятие о фазовой плоскости. Изображение колебательных процессов на фазовой плоскости.

41. Вынужденные колебания в слабонелинейной системе с одной степенью свободы.

42. Мягкий и жесткий режим самовозбуждения автоколебательной системы осцилляторного типа.

43. Параметрическое возбуждение колебаний в контуре с нелинейным реактивным элементом.

44. Распространение модулированных волн в диспергирующей среде.

45. Эффект Фарадея при распространении электромагнитных волн в анизотропных средах.

Литература

1. Мигулин В.В. и др. Основы теории колебаний. М.: Наука, 1988.

2. Демидчик В.И. Элементы теории колебаний. Мн: Изд-во БГУ, 2004

3. Кравченко И.Т. Теория волновых процессов. Мн: Высшая школа, 1985

4. Виноградова М.Б. Теория волн. М.: Наука, 1979.

 

 

СВЧ-электроника

52. Основные уравнения электроники СВЧ и приближенные методы их решения.

53. Устройства и принцип работы отражательного клистрона. Способы перестройки частоты генерации отражательного клистрона.

54. Устройство и принцип работы усилителя на ЛБВО. Частотная характеристика и полоса пропускания усилителя на ЛБВО.

Литература

1. Федоров Н.Д. Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы. М., 1979.

2. Трубецков Д.Н., Храмов А.Е. Лекции по СВЧ электронике в 2 т. М.: Физматлит, 2005.

 

Проректор по учебной работе

 

_______________А.Л.Толстик

 

Рег. № ___________________

 

 

Программа основного вступительного испытания

По физической электронике

Для поступающих в магистратуру



Последнее изменение этой страницы: 2016-08-11

headinsider.info. Все права принадлежат авторам данных материалов.