Главная

Категории:

ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника






Описание технологии изготовления микросхемы.


Технология изготовления микросхемы операционного усилителя КР544УД2Г заключается в следующих основных технологических процессах:

Фотолитография – это процесс получения на поверхности пластины требуемого рисунка. Поверхность полупроводника, маскированного оксидной плёнкой, покрывают фоторезистором (светочувствительным слоем). Затем для обеспечения равномерности покрытия пластину помещают на центрифугу и сушат. После этого экспонируют поверхности ультрафиолетовым излучением через маску, на которой выполнен требуемый рисунок в виде прозрачных и непрозрачных участков. Участки фоторезистора, оказавшиеся освещёнными, будут задублены, а с неосвещённых (незадубленных) участков фоторезистор удаляют специальным составом.

Травление используют для того, чтобы с участков, не защищённых задубленным фоторезистором плавиковой кислотой, стравить диоксид кремния. В результате в оксидной плёнке образуются окна, через которые и производится диффузия.

Диффузия – это процесс, с помощью которого на поверхности или внутри пластины полупроводника получают p- или n-области путём введения акцепторных или донорных примесей. Проникновение примесей внутрь пластины полупроводника происходит за счёт диффузии атомов, находящихся в составе паров, в атмосферу которых помещена нагретая до высокой температуры полупроводниковая пластина.

Эпитаксией называют процесс выращивания одного монокристалла на грани другого. Полупроводниковые эпитаксиальные плёнки могут быть получены различными способами: термическим испарением в вакууме, осаждением из парообразной фазы, распылением в газовом промежутке. Изменяя тип примеси и условия выращивания можно в широких пределах изменять электрические свойства эпитаксиальной плёнки. Следует отметить, что процесс эпитаксии при изготовлении полупроводниковых элементов может заменить процесс диффузии.

Цоколевка, электрическая схема, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы.

КР544УД2Г

Микросхема представляет собой операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким уровнем входных токов, с внутренней частотной коррекцией, обеспечивающей устойчивую работу при любых режимах отрицательной обратной связи, включая режимы интеграторов и повторителей напряжения. Совокупность и уровень параметров этой ИС позволяет использовать её в качестве интеграторов с большим временем интегрирования и малой погрешностью, в электрометрах и логарифмических усилителях с расширенным диапазоном логарифмирования. Малые значения шумового тока и хорошие спектральные характеристики напряжения шума, высокие динамические параметры, дают преимущества при использовании в качестве усилителей для высокоомных фотоприёмников с режимом преобразования тока в напряжение, схем выборки и хранения и высокоомных буферных каскадов.

Тракт передачи сигнала ИС состоит из входного дифференциального каскада, выполненного на полевых транзисторах, промежуточного каскада на p-n-p транзисторе и выходного каскада, образующего двухтактный выход. Частотная коррекция осуществляется внутренним конденсатором. Построение входного каскада позволяет получить низкое и стабильное напряжение на входных полевых транзисторах, почти не зависящее от изменения напряжения питания и синфазного входного напряжения, в связи с чем малый уровень входного тока (или большое входное сопротивление для синфазного сигнала) сохраняется во всём диапазоне входного синфазного напряжения и допустимом диапазоне напряжения питания.

Схема выходного каскада даёт возможность иметь высокую нагрузочную способность при любой полярности выходного напряжения, в том числе при работе на большую емкостную нагрузку и во всём диапазоне температур.

Внешняя балансировка напряжения смещения осуществляется переменным резистором, подключаемым к выводам 1, 8 и 7. Микросхема содержит 32 интегральных элемента. Корпус типа 301.8-2, масса не более 2 г.

Назначение выводов: 1, 8 – баланс; 2 – вход инвертирующий; 3 – вход неинвертирующий; 4 – напряжение питания (-Uп1); 5 – свободный; 6 – выход; 7 – напряжение питания (Uп2).

 

Электрическая схема К544УД1, КР544УД5

 

Условное графическое обозначение К544УД1, КР544УД1 Схема внешней балансировки напряжения смещения К544УД1, КР544УД1

 

Электрические параметры

 

Номинальное напряжение питания:

Uп1 …………………………………………………………………-15 В ± 10%

Uп2 ………………………………………………………………… 15 В ± 10%

Выходное напряжение при Uп = ±15 В ………………………… =>|±12| В



Последнее изменение этой страницы: 2016-08-11

headinsider.info. Все права принадлежат авторам данных материалов.